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8张图让你彻底理解晶体管开关电路

电子发烧友网 2019-07-19 10:10 次阅读
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晶体管三极管的功能之一就是作为开关,利用其截止特性,实现开关功能。但是很多人并不能很好的理解三极管的开关功能,下面以8个实例图片,生动的阐述三极管作为开关的功能。

期待大家回复讨论分析各个电路

1

低边开关


2

高边开关


3

基极电阻


4

非门电路


5

与门


6

或门


7

H桥

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的头像牵手一起梦 发表于06-24 14:35 409次 阅读
硅片制作在工艺上存在哪些挑战

三极管和场效应管测量

对于PNP型三极管,C、E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管....
发表于06-19 16:31 407次 阅读
三极管和场效应管测量

三极管与场效应管选用技巧

明确需用的额定电压,或是电子元件能够承载的最高电压。额定电压越大,电子元件的成本就越高。按照实践证明....
发表于06-19 16:18 483次 阅读
三极管与场效应管选用技巧

场效应管时间继电器是怎样工作的?

接通电源时,由于电容C3两端电压为零,场效应管VT处于截止状态,继电器KA释放,延时开始。同时电源E....
发表于06-19 14:36 179次 阅读
场效应管时间继电器是怎样工作的?

MOS管在开关电路中的使用

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,....
发表于06-19 10:16 799次 阅读
MOS管在开关电路中的使用

九种简易mos管开关电路图

在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达)....
发表于06-19 10:01 984次 阅读
九种简易mos管开关电路图

MOS管放大电路

MOS管是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声低的优点,被广泛应用在电子电路中,特别是具有上述要求前....
发表于06-19 09:31 439次 阅读
MOS管放大电路

半导体工艺如何影响CPU性能的?

半导体的支持工艺和CPU的性能关系就大了,它关系到CPU内能塞进多少个晶体管,还有CPU所能达到的频....
的头像宽禁带半导体技术创新联盟 发表于06-18 15:20 792次 阅读
半导体工艺如何影响CPU性能的?

继电器PLC和晶体管PLC区别

优点是不同公共点之间可带不同的交、直流负载,且电压也可不同,带负载电流可达2A/点;但继电器输出方式....
发表于06-18 11:31 396次 阅读
继电器PLC和晶体管PLC区别

三极管开关电路的工作状态及计算方法

图中R1作用是Q2的基极限流;R3作用是泄放掉关断状态时基极电荷,让Q2在低电平时保持截止状态;R....
发表于06-18 11:13 632次 阅读
三极管开关电路的工作状态及计算方法

IRFP4227PBF功率晶体管的特性及应用

此HEXFET功率MOSFET专门设计用于维持能量恢复和通过开关应用在等离子显示面板中。此MOSFE....
的头像牵手一起梦 发表于06-17 14:53 552次 阅读
IRFP4227PBF功率晶体管的特性及应用

BUB323Z NPN达林顿双极功率晶体管

信息 BUB323Z是一款平面,单片,高压双极功率达林顿晶体管,内置有源齐纳二极管钳位电路。该器件专为未钳位,电感应用而设计,如电子点火,开关调节器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧密钳位电压窗口(350 V至450 V) )保证在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点火电路中100%测试夹紧能量能力 指定的高直流电流增益/低饱和电压全温度范围 设计保证始终在SOA中运行 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于04-18 19:40 38次 阅读
BUB323Z NPN达林顿双极功率晶体管

BU323Z NPN达林顿双极功率晶体管

信息 BU323Z是一款平面,单片,高压功率达林顿,内置有源齐纳钳位电路。该器件专为非钳位电感应用而设计,如电子点火,开关稳压器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧钳位电压窗口(350 V至450 V) )保证在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点火电路中100%测试夹紧能量能力 在全温度下指定的高直流电流增益/低饱和电压范围 设计保证始终在SOA中运行 提供塑料SOT-93 / TO-218型或TO-220封装 这些设备可用无铅封装。此处的规格适用于标准和无铅器件。有关具体的无铅可订购部件号,请访问我们的网站www.onsemi.com,或联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表。...
发表于04-18 19:40 37次 阅读
BU323Z NPN达林顿双极功率晶体管

BSS138 50V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

信息该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款新葡京官方网址旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。 0.22 A,50 V.R = 3.5 Ω @ V = 10 V.R = 6.0 Ω @ V = 4.5 V 高密度单元设计可实现极低的 R。 坚固而可靠。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。...
发表于04-18 19:40 116次 阅读
BSS138 50V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

BSS123 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

信息该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款新葡京官方网址专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。0.17 A,100 V,R = 6 Ω @ V = 10 V0.17 A,100 V,R = 10 Ω @ V = 4.5 V高密度单元设计可实现极低的 R坚固而可靠紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装...
发表于04-18 19:40 28次 阅读
BSS123 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

BSP52 NPN双极达林顿晶体管

信息此NPN双极达林顿晶体管设计用于开关应用,如打印锤,继电器,电磁阀和灯驱动器。该器件采用SOT-223封装,专为中等功率表面贴装应用而设计。 SOT-223封装可使用波峰焊或回流焊进行焊接。形成的引线吸收焊接过程中的热应力,消除模具损坏的可能性 12 mm卷带和卷盘使用BSP52T1订购7英寸/ 1000单元卷轴使用BSP52T3订购13英寸/ 4000单位卷轴 PNP补充是BSP62T1 无铅封装可用 用于汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的站点和控制变更要求;AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图...
发表于04-18 19:40 5次 阅读
BSP52 NPN双极达林顿晶体管

BSP50 NPN达林顿晶体管

信息BSP50 该器件设计用于在集电极电流达 500 mA 的情况下需要极高电流增益的应用。 采用工艺03设计。
发表于04-18 19:40 2次 阅读
BSP50 NPN达林顿晶体管

4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。高电压:MOC8204M,BV= 400 VH11D1M,BV= 300 VH11D3M,BV= 200 V安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于04-18 19:38 10次 阅读
4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

4N37M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于04-18 19:38 0次 阅读
4N37M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于04-18 19:38 62次 阅读
4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于04-18 19:38 66次 阅读
4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息通用光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于04-18 19:38 84次 阅读
4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于04-18 19:38 48次 阅读
4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于04-18 19:38 61次 阅读
4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机
发表于04-18 19:38 63次 阅读
4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP

信息 55GN01MA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz典型 高增益:正向传输增益= 10dB典型值(f = 1GHz)
发表于04-18 19:37 45次 阅读
55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP

55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP

信息 55GN01FA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP,用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz(典型值) 高增益。前向传输增益= 19dB(典型值)[f = 400MHz] 超小型封装允许应用集小 无卤素合规。
发表于04-18 19:37 55次 阅读
55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP

50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单

信息 50A02CH是双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单用于低频通用放大器应用。 高集电极电流能力 低集电极至发射极饱和电压(电阻): RCE(sat)typ =210mΩ[IC = 0.5A,IB = 50mA] 低导通电阻(Ron) 无铅,无卤素且符合RoHS标准
发表于04-18 19:37 54次 阅读
50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单