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三驾马车驱动,功率半导体前景如何?英飞凌陈清源这么说

章鹰 来源:电子发烧友原创 作者:章鹰 2019-07-25 17:04 次阅读
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本站原创,作者:章鹰,电子发烧友执行副主编。

功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心,未来在新能源(电动汽车、风电、光伏)、工业、电源、变频及IOT设备的需求带动下,呈现稳健增长态势,Yole预测,2017-2021年功率器件市场规模CAGR为5.39%,其中MOSFET(5.23%),IGBT(9.02%),功率模块(6.20%)。英飞凌作为全球功率器件市占率第一的国际大厂,对整个功率器件市场有怎样的前瞻?

7月23日,2019英飞凌电源管理研讨会在深圳盛大开幕,笔者参加了功率半导体论坛,英飞凌电源管理与多元化市场事业部大中华区高级市场经理陈清源就全球半导市场和功率半导体的市场应用热点给出了精彩的分析。

图:英飞凌电源管理与多元化市场事业部大中华区高级市场经理 陈清源

陈清源表示,从1999年到2018年,全球半导体市场规模高速增长,从1490亿美元飙升到4490亿美元。2018年全球半导体保持两位数增长,规模达到4767亿美元,到2019年市场规模将达到4490亿美元,每年都有很大的增长空间。就中国市场而言,半导体产业对整个工业和高科技产业的发展都会带来深远影响。


图:全球半导体市场规模在19年间持续增长,成长曲线十分明显。

笔者查询的资料显示,2018年,中国半导体行业全行业销售预计达到2576.96亿元人民币,比2017年的1945.98亿元增长32.42%,增速较去年的28.15%提高了4.27个百分点。

2016年到2018年,半导体行业市场规模高速成长,2016年到2017年半导体市场增长了20%以上,2017年到2018年成长了10%以上,整个半导体细分包括CPUGPU、记忆体和功率半导体。

陈清源指出,存储设备在2017年市场增长达到60.8%以上,在数据处理和无线通信中占比较大,随着2017年存储价格上涨,数据处理(33.6%)和无线通信(21.9%)在2017年的增幅超过半导体整体增幅(21.5%)。

2019年,手机出货量未见大幅度增长,但手机存储容量成倍增加,提高了半导体在无线通信中的增幅。比如原来手机标配16G内存,现在普遍标配64G和128G。无线通信的基础设施对半导体的消耗则是下跌了20%。未来5G通信到来,手机出货量还有物联网设备都会带来更多的市场想象空间。预计2019到2020年,存储会处于供需平衡阶段,销售额维持小幅度增长。

无线通信、汽车应用和智能家电驱动,功率半导体市场维持稳定增长

陈清源分析说,功率半导体,包括模块和分立器件,其市场容量在全部半导体中占比小于5%,大部分时期维持个位数增长。2017年比2016年市场增长达到13.5%。英飞凌拥有覆盖从5W低功率到几千瓦高功率的新葡京官方网址,能够为终端市场更好地提高电源效率。


图:功率半导体市场容量在2017年到2019年呈现稳步增长。

功率器件在无线充电、通信、汽车、智能家居、机器人领域获得广泛应用,目前主要应用领域的市场分析如下:

1、有线通信增长27.8%,但绝对值占比较小。

3、新能源汽车功率半导体器件使用量大幅增加,纯电动增加尤为明显,汽车电动化进程将带动功率半导体器件产业快速发展。

4、消费领域增长18.3%,来源于手机发货量增长,以及家电新葡京官方网址的变频化,这也是未来几年预测涨幅最大的应用(CAGR 8.1%)。可变频家电的快速放量,将显著提升单位家电中半导体的价值量,

5、数据处理增长了11.9%,用于提升服务器电源的变换效率。

6、无线通讯领域增长了14.1%,来自通讯基础设施的建设。由于5G投资的不确定性,这也是唯一下滑的细分领域。(CAGR -3.3%)

7、工业领域增长9.3%,包括马达驱动,LED照明和太阳能应用。

在分立器件和模块细分市场,英飞凌已连续十五次蝉联市场第一的殊荣,其市场份额不断增加,现已超过排在第二位的公司市场份额的两倍。英飞凌在功率半导体全球市场占据19%市场,大幅度领先第二名竞争对手。2014年8月,英飞凌以30亿美元现金并购美国国际整流器公司(International Rectifier),市场份额在2015年出现大飞跃,稳固英飞凌在功率半导体全球市场上的领先地位。2017年以来,功率半导体市场都在稳步增长。

推出新新葡京官方网址

图:英飞凌在全球分立MOSFET市场份额增长明显。

当工艺节点走向商业极限的时候,英飞凌需要一个突破性创新来改变这个局面。引入氮化镓可以显著减少功耗并实现功率密度的飞跃,而碳化硅和氮化镓都可以帮助实现高性能。英飞凌在这两种材料上都投入了研发,并开发出了新新葡京官方网址。比如英飞凌科技股份公司加速推出CoolSiC™ MOSFET 1200V单管新新葡京官方网址。

作为功率半导体领导者,英飞凌是市场上唯一一家提供覆盖硅、碳化硅和氮化镓等材料的全系列功率新葡京官方网址的公司,拥有高性价比的第七代CoolMOS™、基于第三代宽禁带半导体的高性能CoolSiC™与CoolGaN™、以及支持更高频率应用的第六代OptiMOS™等丰富新葡京官方网址组合,从芯片技术层面提升电源效率!

功率器件细分新葡京官方网址主要包括MOSFET,功率模块,整流桥和IGBT等。英飞凌在分立MOSFET市场领先优势明显,2018年,MOSFET市场规模67亿美元,英飞凌占据全球26.4%的市场份额,2018年比2017年销售增长13.5%。在分立器件和模块上,2018年全球市场规模185亿美元,英飞凌占据18.6%的市场份额,排名第一。在功率器件领域,英飞凌的MOSFET和IGBT齐头并进,以雄厚的技术实力去把握第三代半导体功率器件市场放量的机遇。

图:英飞凌功率器件在四大应用市场获得增长机会。

演讲最后,陈清源表示、在新能源(电动汽车、光伏、风电)、变频家电、智能手机、数据中心、IOT设备等需求拉动下,功率半导体呈现增长的良好趋势,英飞凌会提供更多、更好的功率半导体器件,助力主要市场的增长。

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ACNW3190-000E 5.0安培高输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HSSR-7110#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#100是商用级HSSR-7110,具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...
发表于07-04 12:47 2次 阅读
HSSR-7110#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#600是商用级HSSR-7110,具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...
发表于07-04 12:46 7次 阅读
HSSR-7110#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#300是商用级HSSR-7110,带有可表面安装的鸥翼形引线和焊接浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...
发表于07-04 12:45 11次 阅读
HSSR-7110#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#300是高可靠性等级H HSSR-7111,带有可表面安装的鸥翼形引线形式和焊料浸渍引线表面。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...
发表于07-04 12:45 13次 阅读
HSSR-7111#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

ACPL-33JT-000E 汽车R²Coupler®智能门驱动光电耦合器

ACPL-33JT是一款2.5A汽车R 2 耦合器®智能门驱动光电耦合器件,具有集成的反激控制器用于隔离式DC-DC转换器,具有故障反馈的IGBT去饱和感应,具有软关断和故障反馈的欠压锁定(UVLO)以及有源米勒电流钳位。快速传播延迟和严格的时序偏移性能可实现出色的时序控制和效率。 这款全功能设备采用紧凑的表面贴装SO-16封装,节省空间,适用于电动汽车(EV)和混合动力车辆中的牵引动力总成逆变器,电源转换器,电池充电器,空调和油泵电机驱动器电动汽车(HEV)应用。 R 2 耦合器隔离新葡京官方网址提供关键汽车和高温工业应用所需的增强绝缘和可靠性。 功能 符合AEC-Q100 1级测试指南 工作温度范围:-40°C至+ 125°C  用于隔离式DC-DC转换器的集成反激式控制器 稳压输出电压:16V 峰值输出电流:2.5A  (最大) 米勒钳位漏电流:2A 输入电源范围:4.5V至5.5V 传播延迟:300ns(最大)  死区时间失真范围:-150ns至+ 150ns 共模抑制(CMR): > 50 kV /μs;在 CM = 1500 V 集成的故障安全IGBT保护: 去饱和感应,"软" IGBT关断和故障反馈 带反馈的欠压锁定(UVLO)保护 ...
发表于07-04 12:45 16次 阅读
ACPL-33JT-000E 汽车R²Coupler®智能门驱动光电耦合器

HSSR-7111#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#100是高可靠性等级H HSSR-7111,具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...
发表于07-04 12:45 20次 阅读
HSSR-7111#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#200是商品级HSSR-7110,带有焊料浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...
发表于07-04 12:45 18次 阅读
HSSR-7110#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#200是高可靠性等级H HSSR-7111,带有焊接浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...
发表于07-04 12:44 20次 阅读
HSSR-7111#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#600是高可靠性等级H HSSR-7111,具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...
发表于07-04 12:44 16次 阅读
HSSR-7111#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...
发表于10-16 11:19 57次 阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类新葡京官方网址中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...
发表于10-16 11:19 124次 阅读
UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...
发表于10-16 11:19 95次 阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于10-16 11:19 30次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类新葡京官方网址中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代新葡京官方网址 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...
发表于10-16 11:19 20次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...
发表于10-16 11:19 173次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...
发表于10-16 11:19 191次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于10-16 11:19 194次 阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于10-16 11:19 72次 阅读
UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它新葡京官方网址相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...
发表于10-16 11:19 121次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器